Princeton Infrared Technologies, Inc. (PIRT) 是一家无晶圆厂红外公司，专注于红外成像和检测产品的设计、测试和较终组装，专门从事 InGaAs 探测器阵列。这些检测器材料用于检测超出我们眼睛在近红外和短波红外（900 nm-1700 nm）与可见光（400-750 nm）中看到的光。探测器和摄像头类似于手机摄像头，只是它们可以看到我们人眼看不到的红外光。有许多用于成像和检测人类肉眼无法成像的光的应用，包括需要检测湿度、温度或特定激光波长的应用，例如用于投掷炸弹的激光指示器和测距仪中使用的人眼安全激光。 InGaAs 是在所谓的“III-V 半导体工厂”中制造的，这与他们制造用于计算机芯片的硅集成电路的地方非常相似，但制造工厂用于与硅不同的材料，例如 InGaAs 或 GaAs。PIRT 将利用许多现在能够构建 InGaAs 探测器阵列的大型 III-V 制造设施。这将是一个重要的成本驱动因素，因为今天的 InGaAs 成像器生产商目前维持着自己的半导体制造设施，由于销售量相对较小导致成本较高，这些设施仅处于部分产能。此外，PIRT 将利用新的混合技​​术，在比目前业界使用的更小的像素间距（小 2-4 倍）上实现混合。像素是红外探测器阵列中的图片元素，类似于照相手机中的像素。间距描述了每个像素从中心到中心的间距。小像素间距将使每个晶片上可以制造更多芯片，从而进一步降低设备成本。更小的相机会导致更小的光学器件、整体设备尺寸和重量，从而降低成本。 PIRT 将专注于在我们的无晶圆厂环境中创建的线性阵列和二维阵列和相机。几乎所有的硅半导体公司都转向了这种模式，特别是如果他们没有能力用工作订单来填满你的晶圆厂。甚至英特尔也在寻求利用苹果的外部工作来填补其生产线。从 DRS 与 Cypress Semiconductor 和 FLIR 与 AMI 的新闻稿中可以看出，长波红外微测辐射热计市场也已转向该模型以服务于军事市场。