25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米
我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。
参数
- Diode Type: InGaAs
- Wavelength Of Operation: 850nm
应用
- 有源光缆(AOC),Rosa
- 高速光互连和链路
- InfiniBand、光纤无线电、光纤通道
- 短距离40/100 Gbit/s以太网
- 芯片到芯片互连
关键指标
- 多达12个并行通道
- 每通道大于28 Gbit/s
- 高温稳定性
- 器件间间距为250µm
- AR涂层,适用于导线或IP-芯片键合