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25 Gbit-s VCSEL和VCSEL阵列芯片850纳米
这些紧凑且调制率极高的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1×N(N=1、2、4、12等)阵列可作为工程样品,用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。使用接地源(GS)微探针、引线键合或IP芯片键合,VCSEL在顶面上单独接触。
参数
  • Wavelength: 850nm
  • Optical Power (CW): 0.0035W
应用
  • 有源光缆(AOC),Tosa
  • 高速光学互连和链路
  • InfiniBand EDR(8数据速率)、光纤无线、光纤通道和短距离40/100 Gbit/s以太网
  • 芯片到芯片互连
关键指标
  • 多达12个并行通道
  • 每通道大于25 Gbit/s
  • 高温稳定性
  • 器件间间距为250µm
  • 适用于导线或倒装芯片焊接