DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关（Q-Switch，Pockels Cell）因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲（1Ons）激光系统中，DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体，其消光比为2000：1（使用632 nm He-Ne激光器测量），波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小（约3-5pF），因此上升时间短（0.5ns），调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光，与市场上广泛使用的电光晶体相比，具有更高的损伤阈值；在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下，损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真：低电容-上升时间短：~3pF-高透光率：98%-高损伤阈值：1GW/cm2-无静态双折射，无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能