我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）以及外部前置放大器，与此不同的是，快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）取代JFET。这显著降低了电容，大大降低了串联噪声，并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器，但带有前置放大器，在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线，否则峰值将重叠，从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进；更多的计数提供更好的统计数据。